Что разработали
Патент зарегистрировали ученые лаборатории инженерной химии Университета Лобачевского, нижегородского вуза. Технология предназначена для получения очищенного нанопорошка диоксида кремния для микроэлектроники.
Метод позволяет получать частицы заданного размера и формы. Он также обеспечивает их высокую однородность, стабильность и низкое содержание примесей.
От этих характеристик зависит качество обработки полупроводниковых пластин при производстве микросхем.
Разработка включает подход к управлению свойствами наночастиц. Полученный материал предназначен для химико-механической полировки полупроводниковых пластин.
Стадия проекта
Исследователи разработали технологическую линию и регламент получения продукта. На их основе создали устойчивую суспензию для полировки.
Сейчас проект находится на этапе опытно-технологической отработки. Исследовательская работа по составу и условиям синтеза в значительной степени завершена.
Основное внимание уделяют проверке стабильности технологии при масштабировании. Материалы также проходят испытания совместно с индустриальным партнером.
По данным CNews, проект реализуется с 2024 года в рамках федеральной программы «Приоритет-2030». В октябре 2026 года технологическая линия и регламент уже готовы.
Для микроэлектроники
Разработка относится к очистке аморфного диоксида кремния. Материал рассчитан на процессы, где нужны высокочистые абразивные наноматериалы.
В условиях ограничений поставок возникла потребность в российских аналогах зарубежных материалов.
Ранее, с 2024 года, ученые Университета Лобачевского работали над стратегическим проектом «Новые материалы для микроэлектроники». В рамках проекта они подбирали состав и условия синтеза нанопорошка.
Руководитель исследования Ксения Отвагина сообщила, что технологию предназначили для химико-механической полировки полупроводниковых пластин. Ректор ННГУ Олег Трофимов отметил, что университет стремится пройти путь от исследований до серийного внедрения.
